近日，我课题组研究团队在氧化镓基日盲光存储方面取得进展，相关结果以“Ga2O3 Based Multilevel Solar-Blind Photomemory Array with Logic, Arithmetic, and Image Storage Functions”为题发表于国际知名期刊《Materials Horizons》（影响因子：13.266）上。论文第一作者为博士研究生陈彦成，通讯作者为我院青年教师杨珣副教授和单崇新教授。

近年来，随着芯片加工接近尺寸极限，很难再通过缩小芯片尺寸来延续摩尔定律。多功能集成是后摩尔时代发展路径之一，如传感、存储、计算一体化是物联网技术和产业发展的重要趋势。光存储器可以通过光学手段写入并以电学手段读出，是一种重要的光电集成系统。与传统的电存储器相比，光存储器有利于信息存储和传输的安全性；此外，还可以结合光和电信号实现信息处理功能。迄今为止，以可见光和红外光作为写入信号的光存储器已经得到广泛研究。使用日盲紫外光作为激励的光存储器具有对环境光不敏感和更高集成度的优势，是未来光存储器的重要研究方向之一。然而，目前还没有关于日盲光存储器的报道。

氧化镓（Ga2O3）由于其固有的日盲特性和较强的空穴自俘获效应，是开发日盲光存储的理想材料。基于此，我院研究人员通过设计器件结构，利用界面处光生空穴的俘获和解俘获，首次实现了Ga2O3基可擦写的的多态非易失性日盲光存储阵列。此外，利用日盲光和栅压的协同调节，实现了可重构的“与”和“或”逻辑运算；该光存储器可以进行计数和加法运算；利用该光存储器阵列还实现了图像存储。该工作表明，Ga2O3作为多功能日盲光电材料在未来高性能信息存储、计算和通信等领域具有较大的应用潜力。

该工作得到了国家自然科学基金以及中国博士后科学基金等项目的资助。

全文链接：https://doi.org/10.1039/D1MH01304A