姓名:高晗
职称:直聘研究员(副研究员)
最终学历:博士
邮箱:hgao@zzu.edu.cn
一、个人简介
高晗,男,直聘研究员。2016年1月至2019年12月于澳大利亚昆士兰大学(QS世界大学排名46)学习,获得博士学位(国家公派奖学金与昆士兰大学国际研究生奖学金资助)。期间,在昆士兰大学电子显微分析中心担任兼职研究人员(casual research officer)。2020年入选国家博士后国际交流计划引进项目,引进至郑州大学物理学院。2022年1月,业绩优秀直接晋升副研究员。2023年9月,晋升直聘研究员。近年来,在Nano Letters, Nano Energy, National Science Review, ACS Applied Material & Interface,Nano Research等权威期刊上发表论文二十余篇,以主持人身份获批国家级基金三项。
二、研究方向及招生方向
(1) 低维纳米结构的可控合成与先进电子显微学分析表征
(2) 新能源材料微结构与性能关联的研究
招生方向:070205 凝聚态物理 - 02 半导体物理与器件
三、承担课题
(1) 国家自然科学基金青年科学基金项目,2021/01-2023/12,在研,主持
(2) 博士后国际交流计划引进项目,2021/01-2022/12,在研,主持
(3) 郑州大学青年科研人员专项启动基金项目,2021/01-2022/12,在研,主持
(4) 河南省科技攻关项目(工业类),2021/01-2022/12,在研,主持
(5) 中国博士后科学基金特别资助,2021/07-2023/7,在研,主持
四、荣誉奖励
(1) 2019届昆士兰大学优秀学位论文奖Dean’s Award for Outstanding Higher Degree by Research Theses(top 10%)2021年
(2) 昆士兰大学国际留学生奖学金 2016年
(3) 国家公派留学奖学金 2015年
(4) 北京科技大学优秀硕士学位论文 2015年
五、代表性论文
(1) Gao, H.; Sun, Q.; Sun, W.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Zou, J., Understanding the Effect of Catalyst Size on the Epitaxial Growth of Hierarchical Structured InGaP Nanowires. Nano Letters 2019. 2019, 19, 8262-8269
(2) Gao, H.; Sun, W.; Sun, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Zou, J., Compositional Varied Core-Shell InGaP Nanowires Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition. Nano Letters 2019, 19, (6), 3782-3788
(3) Gao, H.; Sun, Q.; Lysevych, M.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Zou, J., Effect of Sn Addition on Epitaxial GaAs Nanowire Grown at Different Temperatures in Metal-Organic Chemical Vapor Deposition. Crystal Growth & Design. 19, 5314-5319
(4) Gao, H.; Lysevych, M.; Tan, H.H.; Jagadish, C.; Zou, J., The effect of Sn addition on GaAs nanowire grown by vapor–liquid–solid growth mechanism. Nanotechnology, 2018. 29(46): p. 465601
(5) Sun, Q; Gao, H; Yao, X, M; Zheng, K; Chen, P, P; Lu, W; Zou, J. Au-catalysed free-standing wurtzite structured InAs nanosheets grown by MBE. Nano Research. DOI:10.1007/s12274-019-2504-7
(6) Sun, Q; Gao, H; Zhang, X, T; Zheng, K; Chen, P, P; Lu, W; Zou, J. Free-Standing InAs Nanobelts Driven by Polarity in MBE. ACS Applied Material & Interfaces 2019, 11, 47, 44609-44616