姓名： 韩炎兵          

Email：ybhan@zzu.edu.cn

所属部门：材料物理教育部重点实验室

办公地址：郑州大学南校区23号楼302室

欢迎对半导体及其电子器件感兴趣的学生报考，招收凝聚态物理、以及仪器仪表工程和电子信息等工科专业方向的研究生，有相关问题可以随时联系。

一、教育及工作经历

2023年3月– 至今  郑州大学物理学院 副教授

2019年7月– 2023年3月 郑州大学物理学院 讲师

2014年9月– 2019年6月 复旦大学，材料科学系，理学博士（直博）

2016年8月– 2018年8月 美国国家可再生能源实验室，国家公派交换生

2010年9月– 2014年6月 郑州大学，材料科学与工程学院，工学学士

二、研究方向

1、硫族化合物薄膜材料高通量合成与表征

2、光电子器件

3、新型半导体及其应用

三、科研项目

1、国家自然科学基金青年项目，2022.01 – 2024.12，30万元，主持

2、中国博士后基金特别资助项目，2021.01 – 2022.12，18万元，主持

3、中国博士后基金面上项目，2021.01 – 2022.12，8万元，主持

4、河南省科技攻关项目，2023.01 – 2024.12，10万元，主持

5、河南省自然科学基金青年基金，2021.01 – 2022.12，5万元，主持

6、郑州大学拔尖博士，2019.11 – 2022.11，20万元，主持

四、科研成果

近五年，申请人在Chemical Reviews，Nano Research, Chemistry of Materials，The Journal of Physical Chemistry C等期刊上共发表学术论文20余篇，其中以第一作者或通讯作者发表的论文有12篇；申请国家发明专利5项，已授权3项；河南省科技成果奖1项。

五、代表性论文

[1] Yurun Liang#, Yuewen Zhang#, Yanbing Han*, Zhifeng Shi*, et al. Parametric study on controllable growth of SrZrS₃ thin films with good conductivity for photodetectors. Nano Research vol. 16, 7867-7873, Feb 15. 2023.

[2] Jie Xu, Yanbing Han*, Zhifeng Shi*, et al. Enhancing the optical absorption of chalcogenide perovskite BaZrS₃ by optimizing the synthesis and post-processing conditions. Journal of Solid State Chemistry vol.307, 122872, Jan 2. 2022.

[3] Rachel Woods-Robinson#, Yanbing Han#, Hanyu Zhang, Tursun Ablekim, Imran Khan, Kristin A. Persson, and Andriy Zakutayev. Wide Band Gap Chalcogenide Semiconductors. Chemical Reviews vol. 120, 4007-4055, Apr 6. 2020.

[4] Yanbing Han, Jun Liu, Sage Bauers, Sebastian Siol, et al. Wurtzite materials in alloys of rock salt compounds. Journal of Materials Research vol. 35, 972-980, Apr 1. 2020.

[5] Yanbing Han, Sage Bauers, Qun Zhang, Andriy Zakutayev. High throughput fabrication and semi-automated characterization of oxide thin film transistors. Chinese Physics B, vol. 29, 018502, Jan 2020.

[6] Xiaoni Wang, Zhaoyong Wang, Weimin Tian, Yanbing Han^*, Ning Yao^*. Optical properties of AlN films deposited by energy filtering magnetron sputtering technique. Applied Physics Express vol. 13, Jan 9. 2020.

[7] Yanbing Han, Ryan Trottier, Sebastian Siol, et al. Andriy Zakutayev. Templated growth of metastable polymorphs on amorphous substrates with seed layers. Physical Review Applied vol.13, 014012, Jan 8. 2020.

[8] Yanbing Han, Aaron M. Holder, Sebastian Siol, Stephan Lany, et al. Zinc-stabilized manganese telluride with wurtzite crystal structure. The Journal of Physical Chemistry C vol.122, 18769-18775, Jul 23. 2018.

[9] Yanbing Han, Bethany E. Matthews, Dennice M. Roberts, Kevin Talley, et al. Combinatorial nitrogen gradients in sputtered thin films. ACS Combinatorial Science vol. 20, 436-442, May 17. 2018.

[10] Yanbing Han, Sebastian Siol, Qun Zhang, and Andriy Zakutayev. Optoelectronic properties of strontium and barium copper sulfides prepared by combinatorial sputtering. Chemistry of Materials vol. 29, 8239-8248, Sep 18. 2017.

[11] Yanbing Han, Hai Yan, Yun-Chu Tsai, Yan Li, et al. Influences of nitrogen doping on the electrical characteristics of Indium-Zinc-Oxide thin film transistors. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability vol. 16, 642-646, Oct 13. 2016.

[12] Yanbing Han, Can Cui, Jianwen Yang, Ming-Yen Tsai, Ting-Chang Chang, and Qun Zhang. H₂O induced hump phenomenon in capacitance–voltage measurements of a-IGZO thin-film transistors. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability vol. 16, 20-24, Mar 16. 2016.

六、授权发明专利

1、韩炎兵，史志锋，毛子慧，刘伟杰，徐洁，一种BaZrS7薄膜及其制备方法和应用，授权公告号：CN 114873639 B，授权公告日：2023.06.23（已授权）

2、韩炎兵，史志锋，张跃文，梁雨润，徐洁，毛子慧，一种高迁移率p型SrHfS3薄膜及其制备方法，授权公告号：CN 115074667 B，授权公告日：2023.06.23（已授权）

3、张跃文，韩炎兵，毛子慧，朱英豪，徐洁，贾晓鹏，一种钙钛矿结构BaZrS3块体热电材料及其制备方法，授权公告号：CN 114804881 B，授权公告日：2023.01.24（已授权）

七、成果奖励

2023年河南省教育厅优秀科技论文一等奖