近日，课题组在近红外发光的金属卤化物方面取得进展，相关成果以“Near-Infrared Light Emitting Metal Halides: Materials, Mechanisms, and Applications”为题目发表在国际知名期刊《Advanced Materials》上。论文第一作者为课题组刘莹研究员，通讯作者为课题组史志锋教授、华南理工大学夏志国教授和意大利技术研究所Liberato Manna教授。

近红外发光材料在食品检测、农业生产、生物医学等领域具有广泛的应用价值。目前常见近红外光源主要是III-V族无机半导体的外延异质结构，很难与互补金属氧化物半导体（CMOS）集成，且制备工艺复杂。与III-V族半导体相比，金属卤化物材料因其成本低廉、制备工艺简单、溶液可加工、光谱可调范围广、易于进行CMOS集成而受到广泛关注，是新兴近红外发光材料的理想选择。最近，近红外发光的钙钛矿发光二极管外量子效率达到20%以上，并显示出超过10000小时的器件稳定性，进一步展现出近红外发光金属卤化物良好的应用前景，激发了科研人员对于新型近红外金属卤化物的探索。

鉴于此，研究人员从近红外发射机理出发，对不同类型的近红外发光金属卤化物进行了归类和整理，包括铅/锡基溴/碘化物钙钛矿、稀土离子掺杂金属卤化物、双钙钛矿、低维杂化金属卤化物和Bi³⁺/Sb³⁺/Cr³⁺掺杂金属卤化物，综述了它们的最新研究进展，深入分析了窄带或宽带近红外发光的机制。同时，梳理了基于近红外发光金属卤化物的器件应用，并详细讨论了不同类型近红外金属卤化物所面临的实际挑战以及克服这些障碍的可能策略。

该工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、国家博士后基金等项目的支持。

文章链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202312482