题     目：面向层间互连的二维半导体材料制备技术

报 告 人：叶堉  教授

时     间：2025年12月5日(周五)  9:00

地     点：南校区23号楼6楼会议室

个人简介：叶堉，北京大学物理学院博雅特聘教授、国家杰青。2012年获北京大学凝聚态物理博士学位。在2016年7月加入北京大学之前，在美国加州大学伯克利分校从事博士后研究工作。他所在的研究组目前主要研究凝聚态物理中光与物质相互作用和电输运特性，重点通过纳米尺度器件设计、低温强磁场光谱学和电输运测量，研究原子级薄材料、范德华异质结构和表面/界面中出现的新奇物理现象。在Nature、Nature Electronics、Nature Nanotechnology等杂志上发表高水平论文100多篇。

报告内容：后摩尔时代的半导体电子技术不断寻求新的技术解决方案，以将器件尺寸缩小到原子级别，同时采用新型架构为半导体器件增加器件功能。二维半导体材料因其原子级厚度和可堆叠性，有望摆脱传统硅基半导体的微纳加工工艺，实现新的半导体芯片制造技术。通过了解从1T'到2H MoTe2的固-固相变机制，我们通过种子诱导的二维平面内外延技术实现了2H MoTe2单晶晶圆的可控制备。此外，二维半导体2H MoTe2晶圆的载流子类型、载流子浓度可精确调控，并可实现图案化掺杂。通过直接异质外延，掺杂的二维半导体晶圆可以在任意单晶衬底、或三维架构上异质集成，不受晶格匹配与平面基底的限制。精确的p、n掺杂和异质集成技术使层间互连集成电路的实现更近了一步。