日前，郑州大学河南先进技术研究院许群教授团队借助零价过渡金属插层的方法，实现了通过体相MoS2的剥离及二维MoS2纳米片的制备，相关成果以“Exfoliation of MoS2 by zero-valent transition metal intercalation”为题发表在国际权威期刊《Chemical Communication》上。该论文第一作者为河南先进技术研究院硕士研究生赵端端，通讯作者为我院青年教师徐松和许群教授，郑州大学河南先进技术研究院为唯一通讯单位。此工作得到了国家自然科学基金的支持。

    作为一种典型二维材料，MoS2带隙易于调节，具有优异的电学、光学等物理化学特性。其中，单层或少层二维MoS2已在催化、传感、储能等研究领域得到了广泛应用。常规的单层或少层二维MoS2制备方法存在规模小、工艺复杂、成本高等问题。因此，通过新型剥离方法由体相MoS2大规模制备单层或少层MoS2对MoS2及相关二维材料的基础研究及技术应用领域具有重要意义。

    鉴于此，郑州大学许群教授团队徐松老师提出了一种新型的通过零价过渡金属（Co， Cu, Ni）插层的方法实现MoS2的剥离。该方法所制得MoS2纳米片为1T-及2H-相复合的少层结构，横向尺寸可达1微米，厚度约为2～3层。由于1T-MoS2的存在，剥离所制得MoS2纳米片电催化析氢能力显著提升。该工作提出了在温和条件下剥离制备二维MoS2纳米片的新策略，相关结果有望在相关二维材料的基础及技术研究中得到更广泛的应用。

    全文链接：https://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2023/cc/d3cc02528d